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Diodo de derivación solar XND19-V30P


Un paquete de tamaño pequeño se puede integrar dentro de módulos fotovoltaicos

Bajo consumo de energía, baja pérdida, alta eficiencia

Voltaje directo promedio muy bajo

Alta capacidad anti-sobretensión

Alta capacidad de protección ESD

Dispositivo especial de bypass solar

Pasó la prueba de calificación de vida de 25 años.

Producto sin plomo



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Tabla de Especificaciones

AsuntoValores
Esquema del paqueteBW88
Soldadura de terminales de plomoT=260℃±5℃,10S±1S


Tabla de parámetros de rendimiento eléctrico

AsuntoValores
Tensión inversa máxima30V
corriente directa máxima40A
Corriente directa de sobretensión (50 Hz semisinusoide/8.3 ms)500A
ESD (HBM)30KV
Voltaje directo máximo promedio (si = 30 A, Tj = 25 ℃)≤ 110 mV
Voltaje directo máximo promedio (si = 40 A, Tj = 25 ℃)≤ 135 mV
Voltaje directo máximo promedio (si = 30 A, Tj = 125 ℃)≤ 140 mV
Voltaje directo máximo promedio (si = 40 A, Tj = 125 ℃)≤ 160 mV
Corriente máxima de fuga inversa (Vr=30V)≤100 μA
Resistencia termica2 ℃/W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento-55 ~ 150 ℃
Temperatura de almacenamiento-55 ~ 150 ℃


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